國家工信部近日公布一項通知顯示，關鍵晶片製造設備研發已取得技術突破，研發出深紫外光曝光機（DUV），可生產八奈米及以下晶片，目前正在推廣應用。

工信部官網9日公布，「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。目錄顯示，在積體電路生產裝備，其中一項是「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），核心技術指標為：「晶圓直徑300釐米，照明波長248奈米，分辨率小於等於65奈米，套刻小於等於八奈米」。這也代表，這台國產DUV曝光機可生產八奈米及以下晶片。至於國產DUV曝光機的（製造）良率則未有提及。

科技媒體「科學科技說」轉發上述內容稱，中國自己的DUV曝光機終於來了，雖與晶片製造設備龍頭阿斯麥（ASML）曝 光 機 存在代差，至少已填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機（EUV）。

中國國產DUV機取得突破，正積極推廣應用。（網絡圖片）